well ion implant

well ion implant
kišenės jonų implantavimas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. well ion implant vok. Wannenimplantation, f rus. ионная имплантация для формирования кармана, f; ионное легирование кармана, n pranc. implantation de la cavité, f

Radioelektronikos terminų žodynas. – Vilnius : BĮ UAB „Litimo“. . 2000.

Игры ⚽ Нужно решить контрольную?

Look at other dictionaries:

  • Ion implantation — is a materials engineering process by which ions of a material can be implanted into another solid, thereby changing the physical properties of the solid. Ion implantation is used in semiconductor device fabrication and in metal finishing, as… …   Wikipedia

  • Wannenimplantation — kišenės jonų implantavimas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. well ion implant vok. Wannenimplantation, f rus. ионная имплантация для формирования кармана, f; ионное легирование кармана, n pranc. implantation de la cavité, f …   Radioelektronikos terminų žodynas

  • implantation de la cavité — kišenės jonų implantavimas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. well ion implant vok. Wannenimplantation, f rus. ионная имплантация для формирования кармана, f; ионное легирование кармана, n pranc. implantation de la cavité, f …   Radioelektronikos terminų žodynas

  • kišenės jonų implantavimas — statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. well ion implant vok. Wannenimplantation, f rus. ионная имплантация для формирования кармана, f; ионное легирование кармана, n pranc. implantation de la cavité, f …   Radioelektronikos terminų žodynas

  • ионная имплантация для формирования кармана — kišenės jonų implantavimas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. well ion implant vok. Wannenimplantation, f rus. ионная имплантация для формирования кармана, f; ионное легирование кармана, n pranc. implantation de la cavité, f …   Radioelektronikos terminų žodynas

  • ионное легирование кармана — kišenės jonų implantavimas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. well ion implant vok. Wannenimplantation, f rus. ионная имплантация для формирования кармана, f; ионное легирование кармана, n pranc. implantation de la cavité, f …   Radioelektronikos terminų žodynas

  • Vertical-cavity surface-emitting laser — The vertical cavity surface emitting laser (VCSEL; [v ɪxl] ) is a type of semiconductor laser diode with laser beam emission perpendicular from the top surface, contrary to conventional edge emitting semiconductor lasers (also in plane lasers)… …   Wikipedia

  • Tracer-gas leak testing method — As part of the recommended leak testing methods for nondestructive testing several tracer gas leak testing ones exist among which the methods of choice are: * Helium mass spectrometer or helium leak detection, providing the highest sensitivity *… …   Wikipedia

  • Memristor — Type Passive Working principle Memristance Invented Leon Chua (1971) First production HP Labs (2008) Electronic symbol …   Wikipedia

  • Brain–computer interface — Neuropsychology Topics Brain computer interface …   Wikipedia

Share the article and excerpts

Direct link
Do a right-click on the link above
and select “Copy Link”